直拉单晶硅：在直拉法制备单晶硅的过程中，原料通常是多晶硅，在将其熔化然后拉制晶体的过程中，不可避免地会引入一些杂质。虽然也会采取一定的掺杂控制手段来调节其电学性能，但相对来说杂质的引入较难做到极致的少。而且杂质在晶体内部的分布相对不是那么均匀，存在一定的浓度梯度，比如在晶锭的轴向、径向等方向上杂质含量会有变化，这些杂质会对载流子的迁移产生散射等影响，使得电阻相对难以达到很高的值。

区熔单晶硅：区熔法是利用杂质在固相和液相中溶解度的差异，通过局部加热使硅棒形成狭窄的熔化区，杂质会随着熔区移动而被驱赶到硅棒的一端，经过多次这样的区熔过程，能够非常有效地去除杂质，让硅中的杂质含量极低。并且这种方法可以实现杂质分布更为均匀可控，极大地减少了杂质对载流子运动的干扰，使得载流子能更顺畅地迁移，从而可以获得较高的电阻率，也就是电阻相对更高。

直拉单晶硅：直拉过程中，晶体生长速度、温度梯度等工艺参数的细微波动都会影响晶体的微观结构。比如可能会产生一些位错、晶界等缺陷，尽管现代工艺已经尽力去减少这些缺陷，但还是难以完全避免。这些晶体缺陷会成为载流子的复合中心，载流子在运动过程中容易在此处被捕获，进而影响其迁移能力，使得电阻率受限，电阻难以提升到很高的水平。

区熔单晶硅：区熔工艺相对来说生长条件更易于精准控制，能够生长出结构更加完整、缺陷密度极低的单晶硅。载流子在近乎完美的晶体结构中迁移时受到的阻碍很小，其迁移率可以保持在较高水平，相应地就可以实现较高的电阻率，即电阻值较高。