一、高晶体质量保障 （一）消除微管缺陷 微管是SiC晶体中极为有害的缺陷，哪怕数量极少，也会对SiC器件的性能产生毁灭性打击。在传统物理气相...

TSSG法生长SiC单晶的原理 传统熔体法的局限 SiC的物理特性决定了其生长难度。在常压环境下，SiC并无熔点，一旦温度攀升至2000℃...

碳化硅，作为极具潜力的第三代半导体，凭借其卓越性能在众多关键领域展现出广阔应用前景。SiC的带隙约为硅的3倍，这使其在高温环境下能保持稳定的...

一、引言 多晶硅作为半导体和光伏产业的关键基础材料，其质量直接影响着后续产品的性能与应用。在多晶硅铸造过程中，不可避免地会引入碳、氮、氧等杂...

晶硅作为半导体材料的重要代表，其晶体结构与金刚石一致，呈现出典型的面心立方晶胞结构。这种结构的最小单元是由五个原子构成的正四面体，每个顶角原...

硅片化学机械抛光（CMP）作为关键的平坦化工艺，其运动机理对材料去除率和表面均匀性的影响备受关注。本文从运动学视角出发，构建硅片与抛光垫的运...

先进IC工艺还对硅片平整度提出了极高的要求。较差的平整度不仅会导致后续平坦化工艺的恶化，还可能导致光刻工艺的失焦，导致器件失效,进而影响到产...

在正式探讨粒径测试方法之前，我们先了解几个关于粒径测试的关键概念。粒度和粒径指的是颗粒的大小，通常以直径来表示，所以粒度也被称为粒径。粒度分...

硅，作为现代科技领域中至关重要的元素，其制备方法历经了漫长的探索与发展。1800 年，Berzelius 成功利用钾还原氟硅化合物，首次制得...