说明：本文详细介绍了TEM选区电子衍射（SAED）中单晶与多晶样品的衍射图差异及其原理。单晶因晶面取向统一，衍射电子朝固定方向，形成离散斑点...

多晶硅定向凝固过程中通常伴随着外场作用，这些外场环境影响着多晶硅定向凝固中杂质的分布。外场环境主要通过对硅熔体流动产生影响，从而影响熔体中的...

划痕作为制造过程中最常见的表面缺陷之一，按尺寸可明确划分为宏观划痕（≥1μm，肉眼可见，多由机械碰撞、工装摩擦导致）与微观划痕（0.1-1μ...

表面粗糙度作为表征材料表面微观不平度的关键指标（定义为加工过程中形成的微小峰谷间距与高度差，波距通常≤1mm），直接影响产品的耐磨性、耐腐蚀...

芯片的“地基”——半导体硅片，哪怕表面藏着纳米级的微小缺陷，都可能让整个芯片报废。作为芯片制造的核心基材，硅片的缺陷控制直接决定终端产品良率...

硅片作为半导体器件的核心衬底材料，其表面洁净度与化学稳定性直接决定器件的电学性能、可靠性及使用寿命。加工过程中，沾污（颗粒、金属杂质、有机污...

定向凝固需要两个条件：一、保证热流方向单一，并且垂直于晶体生长形成的固液界面；二、晶体生长有足够的驱动力，且固液界面前沿熔液中没有稳定的结晶...

在多晶硅定向凝固过程中杂质分凝的研究时，假定其条件稳定，将其看作一个细长等界面柱状的多晶硅定向凝固体系，其液固界面以平面状沿轴方向推进的凝固...