硅材料电阻率怎么测量
时间：2025-04-02 发布人：admin 点击数：0
在硅片的检测中使用的是四探针测试仪[72]，图 2.5 为实验使用的苏州晶格四探针检测仪。电阻率测试中使用的仪器为四探针电阻率测试仪，检测原理如图所示。仪器自带的四根金属探针在接触到晶体硅样品后，可以由以下公式推导：式中，C 为探针修正系数，通常由探针之间的距离决定式中，𝑆1、𝑆2、𝑆3 分别为探针1和探针2、探针2和探针3、探针3和探针4之间的距离。扬州晶格半导体-提供超大尺寸柱状多晶硅、单晶硅材料，并可定制加工各类硅部件、硅锭、硅棒、硅环、硅管、硅靶材。17826693981生长完成后，待晶棒冷却后，用四探针法测量单晶硅的电阻率。图 2.7 为单晶硅棒切片示意图。轴向电阻率测量的是单晶硅棒表面的电阻率。在单晶硅棒的表面，每隔7mm 测量的电阻率。径向电阻率测量硅片中心以及边缘的电阻率如图。径向电阻率均匀性的计算公式为:∆𝜌/𝜌 = ((𝜌𝑐 − 𝜌𝑎)/𝜌𝑎) × 100%其中𝜌𝑎为硅片中心两次测得的电阻率的平均值，𝜌𝑐为硅片边缘 10mm 处测得的 4 个电阻率平均值，均匀性计算值越小径向电阻率越均匀。
