什么是SOI硅片?
时间：2025-06-24 发布人：admin 点击数：0
高速运行：寄生电容降低 40%，开关速度提升 25%，22nm FD-SOI 工艺性能接近 FinFET，而制造成本降低 30%。 超低功耗：绝缘层设计使漏电流减少 90%，动态功耗降低 30-50%，在智能手机处理器中可延长续航时间 20% 以上。 高可靠性：抗辐射能力提升 10 倍，在 - 40℃至 150℃宽温域下仍能稳定工作，满足汽车电子对极端环境的严苛要求。
射频领域：RF-SOI 支撑 5G 手机射频前端模组，Sub-6GHz 频段用量较 4G 增加 60%，毫米波天线系统推动单芯片 SOI 含量提升至 120mm²。 功率器件：Power SOI 在新能源汽车电驱系统中，配合 IGBT 及 SiC MOSFET 实现高效能量转换，单车芯片用量是燃油车的 2 倍以上。 逻辑电路：FD-SOI 在物联网设备中实现超低功耗运行，格芯 22FDX 平台已吸引 30 家 IP 合作伙伴，支持边缘计算的安全可靠部署。
