众所周知几乎所有的硅单晶都用CZ法或FZ法生产。CZ 硅中的高氧含量(>10^18atm/cm3)所形成的氧施主，由于其不稳定性和可逆性造成CZ硅单晶在功率器件制造过程中的局限和困难。这正是生产成本远较CZ法昂贵的FZ法单晶存在的主要原因。科技上，硅物理探测器及抗辐射加固等器件要求热稳定性好，同时又掺入某些固态元素的硅单晶，CZ 法和 FZ法都难做到两全其美。

CFZ法生长硅单晶的原理

利用直拉法将块状多晶制备成区熔设备能使用的直拉多晶棒(掺杂或不掺杂)，然后区熔法脱出多晶棒中的高氧含量并制备成区熔单晶。CFZ法既生产出了传统区熔难于生产的掺固态元素硅单晶，又有效地避免了氧热施主对电阻率稳定性的干扰。