硅片清洗用的1号液和2号液是什么
时间：2025-03-11 发布人：admin 点击数：0
在半导体制造过程中常见的沾污类型有颗粒物、金属杂质、有机物、自然氧化层和静电释放ESD，其中任何一种沾污均会导致器件存在缺陷甚至让器件失效，因此在制造过程中如何控制沾污便显得非常重要，湿法清洗也是一项重要的去除沾污工艺。目前半导体制造中所用的清洗液有1号标准清洗液 SC-1（Standard Clean 1）和2号标准清洗液 SC-2（Standard Clean 2），也简称1号液和2号液，是美国RCA公司的研发人员于上世纪60年代提出的，对应的清洗工艺也称RCA清洗工艺。成分：由氢氧化铵（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）组成，其典型的体积比为 NH₄OH:H₂O₂:H₂O = 1:1:5 至 1:2:7。作用：主要用于去除硅片表面的颗粒、有机物以及部分金属污染物。H₂O₂具有氧化作用，可将有机物分解；NH₄OH 起到络合作用，能使许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水，同时硅片表面会形成一层亲水性的自然氧化膜（SiO₂），有利于颗粒的去除。成分1：由盐酸（HCl）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）组成，通常的体积比为 HCl:H₂O₂:H₂O = 1:1:6 至 1:2:8。作用：主要用于去除硅片表面的金属杂质，如钠、铁、镁、锌等。H₂O₂的氧化作用和 HCl 的溶解作用，以及氯离子的络合性，使许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。此外目前业界对RCA工艺做了一些改进，比如将1号液进行稀释，化学配比比例由1:1:5稀释至1:4:50，减少了化学品的使用，具有更好的成本优势和安全性。另外在1号液和2号液清洗之前，先通过硫酸与双氧水配备成的Piranha对晶圆有机物和金属杂质进行强效清洗，再用超纯水、1号液、2号液和氢氟酸等按一定顺序进行清洗，达到去除沾污的目的。
