直拉法制备单晶硅，对生长炉内温度场设置要求很高，但是实际生产中温度场复杂且不容易实现精确测量和控制生长炉内包含熔体和气体复杂的对流与传热作用...

1、晶向标定原理在晶圆的蚀刻工艺中, 掩蔽图案和晶向的对准至关重要, 但是到底掩蔽图案和晶向的对准程度如何,这一结论只能通过最终的加工结果来...

1、颗粒测试仪原理Surfscan检测系统用于量产缺陷控制的在线检测。Surfscan SP1是Surfscan6000系列的下一代，SP1...

一、氧杂质的来源1、 石英坩埚的溶解在直拉单晶硅的生长过程中，石英坩埚中的二氧化硅（SiO2）会溶解进入硅熔体中，是氧杂质的主要来源之一。石...

籽晶倾斜对大尺寸单晶生长稳定性的影响显著。为深入探究其作用机制，本研究采用静力学仿真方法，分析了负载下倾斜结构对应力分布的影响。通过模拟40...

1、滑移线缺陷成因分析滑移线是外延层表面沿 <110> 方向延伸的线段，滑移线的产生主要是由于位错源在应力作用下产生大量位错，并不断沿原子键...

直拉法，即切克劳斯基法（J Czochralski），简称 CZ 法，最早由切克劳斯基法在 1917 年发明，但是最早由 Teal 和 Bu...

熔体内部往往存在氧，其中氧含量常用 ppma 或者 atom/cm3 进行表示，前者为百万分之一，后者为单位立方厘米的硅熔体中有多少个氧原子...

一、高晶体质量保障 （一）消除微管缺陷 微管是SiC晶体中极为有害的缺陷，哪怕数量极少，也会对SiC器件的性能产生毁灭性打击。在传统物理气相...