硅粉加工是将大的硅块加工成粒径较小的粉料，硅粉粒径越小，越易悬浮，表面积越大，燃烧速度越快，升压越快，爆炸压力越大。由于粉尘的初始爆炸气浪会...

众所周知,单晶硅在碱性溶液中的湿法刻蚀沿不同晶向会表现出不同的刻蚀速率,即各向异性刻蚀。其本质原因是 (100)、 (110)、 (111)...

一块硅材料的性能优劣，其电阻率是至关重要的指标。如何精准测量这块看似简单的“石头”的导电能力？答案就是被誉为半导体工业“黄金标准”的测量方法...

在晶圆的蚀刻工艺中, 掩蔽图案和晶向的对准至关重要, 但是到底掩蔽图案和晶向的对准程度如何，这一结论只能通过最终的加工结果来判定。因此，如果...

单晶硅中的缺陷可分为点缺陷(零维缺陷)、线缺陷(一维缺陷)、面缺陷(二维缺陷)、体缺陷(三维缺陷)以及在加工过程中形成的二次缺陷。 其中,空...

1958 年 Dash 发明了 Dash 缩颈技术，生长出了无位错的单晶硅，消除了引晶时带入晶体内的位错，但是晶体生长过程中产生的原生点缺陷...

单晶硅中除原生点缺陷以外,与氧杂质相关的缺陷也是影响其品质的重要因素。 如图所示，氧杂质的主要来源是石英坩埚，硅原料和坩埚壁。氧元素与硅在高...

单晶硅中的N杂质是在硅熔体中加入Si3N4 颗粒、石英坩埚上的 Si3N4 涂层以及保护气氛中生长引入的，其主要存在形式包括具有电活性的氮-...

碳是直拉单晶硅中非有意引入的杂质,与有意引入硅中的氮相似,居于替代位的碳(Cs)原子同样能与硅中的其他杂质和点缺陷产生相互作用。 当 Cs ...