同样是N型半导体，单晶硅中砷掺杂和磷掺杂有什么区别？在单晶硅中，砷（As）和磷（P）均为常用的 N 型掺杂剂（五价元素，提供自由电子），但由...

硅的沉积方式包括物理气相沉积和化学气相沉积，但在半导体和MEMS实际工艺流程中，几乎采用的都是化学气相沉积法。单晶硅薄膜主要通过MOCVD（...

在半导体领域，尤其是硅材料相关的研究与应用中，电阻率和方阻是两个频繁出现的概念。不少人会疑惑，它们是一个意思吗？答案是否定的，尽管二者都用于...

在半导体硅片生产过程中，精确调控材料的电阻率是实现器件功能的关键，而原位掺杂、扩散和离子注入正是达成这一目标的核心技术手段。下面将从专业视角...

氮在硅中主要以氮对的形式存在，并占据晶格的间隙位，另外有少于1%的氮占据晶格的替代位。不同的热历史对硅中氮的存在形式也有很大的影响根据热历史...

人们对硅中的氮氧复合体做了大量的研究，并且找到了氮氧复合体在中红外和远红外区的特征吸收峰，如下表所示。同时研究了它的热稳定性和对硅片电学性能...

一般认为氧的扩散在700℃可以分为两部分:当 T>700℃时，氧主要通过间隙扩散，这一点基本上被大家所认可。当 400℃为了解释氧的异常扩散...

在直拉单晶硅的生长过程中，由于熔硅与石英坩埚在高温下的相互作用，氧原子不可避免地进入硅熔体。尽管大部分生成的 SiO 以气体形式挥发，但仍有...

目前，在太赫兹（远红外）频段最透明的绝缘材料就是高阻的浮区（FZ）单晶硅。这是科研人员不断的经过实验并分析得出的结果。实验的测量分为两部分，...