SiC 单晶材料具有硬且脆的特性，这给它的切片加工带来了不小的难题，同时对磨削精度也提出了很高的要求。所以，晶圆制造往往是一个耗时较长且难度...

高质量且低缺陷的 SiC 晶体，对于制备 SiC 功率半导体器件起着至关重要的作用。当下，在 SiC 晶体生长领域，比较主流的方法包含 PV...

在科技飞速发展的当下，电子材料领域不断涌现新的突破，碳化硅（SiC）便是其中的一颗璀璨明星。作为一种理想的电子材料，SiC在高温、高频、大功...

在 SiC 晶体之中，存在着各式各样的缺陷，而这些缺陷对 SiC 器件的性能有着直接的影响。所以，深入探究清楚各类缺陷的构成以及生长机制，显...

在半导体材料的赛道上，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的“明星选手”，正凭借自身卓越的性能，掀起一场席卷多个领域的技术变革。而8英...

为了控制半导体的性质，我们需要人为的掺入微量的Ⅲ族（如镓）或Ⅴ族（如磷）元素杂质。Ⅲ族在硅中能接受电子而产生导电空穴并形成正电中心，称他们为...

半导体电阻率可以用四探针直接测出，而杂质的量却很难探测到。在实际的研究和生产中通常通过电阻率来讨论杂质分布的问题。载流子浓度和迁移率决定了电...

在硅片的检测中使用的是四探针测试仪[72]，图 2.5 为实验使用的苏州晶格四探针检测仪。电阻率测试中使用的仪器为四探针电阻率测试仪，检测原...

在流场中，我们可以清晰的看见在固液界面下方熔体中的环流，在晶体旋转低于6rpm 时，环流在固液界面下方。随着晶转的增加，环流从中心沿着三相点...