SSP 单面抛光（Single Side Polished）特点：只对硅片的一个表面进行抛光处理，另一个表面通常保持原始的切割或研磨状态。这...
1200V 级 SiC MOSFET 作为一款能够充分彰显 SiC 优势的器件，在工业与汽车等诸多领域得到了广泛应用。当下，1200V 级 ...
SiC 能够如同 Si 一般，通过热氧化过程在晶圆表面生成优质的 SiO₂绝缘膜，这一特性为 SiC 器件的制造带来了显著优势。在平面栅 S...
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速率、强抗辐射性能以及出色的热稳定性和化学稳定性，在高温、高频、...
SiC 单晶材料具有硬且脆的特性，这给它的切片加工带来了不小的难题，同时对磨削精度也提出了很高的要求。所以，晶圆制造往往是一个耗时较长且难度...
高质量且低缺陷的 SiC 晶体，对于制备 SiC 功率半导体器件起着至关重要的作用。当下，在 SiC 晶体生长领域，比较主流的方法包含 PV...
在科技飞速发展的当下，电子材料领域不断涌现新的突破，碳化硅（SiC）便是其中的一颗璀璨明星。作为一种理想的电子材料，SiC在高温、高频、大功...
在 SiC 晶体之中，存在着各式各样的缺陷，而这些缺陷对 SiC 器件的性能有着直接的影响。所以，深入探究清楚各类缺陷的构成以及生长机制，显...
在半导体材料的赛道上，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的“明星选手”，正凭借自身卓越的性能，掀起一场席卷多个领域的技术变革。而8英...
