铸锭横截面晶体形貌如图 3.2所示，由图可知铸锭的晶体形貌可以分成柱状晶和不规则晶粒两部分，柱状晶分布在铸锭中间位置，不规则晶粒分布在铸锭顶...
本文采用Fe、Cu、Ni和Ti作为研究对象，其原始杂质含量分别是 659.40ppmw，28.56 ppmw，84.35ppmw 和35.5...
区熔法（Float Zone，简称FZ法） 是生产高纯度单晶硅的核心技术之一。与主流使用坩埚的直拉法（CZ法）不同，FZ法的核心优势在于其“...
由于区熔法（FZ法）不使用坩埚，无法像直拉法（CZ法）那样直接在熔体中加料，因此发展出了多种独特的掺杂技术。目前，区熔硅单晶的掺杂方法主要有...
直拉法（CZ法）单晶硅中，间隙氧原子本身是电中性的，不直接改变电阻率。真正影响电阻率的，是氧在热处理过程中形成的热施主（300-500℃）、...
什么是晶体扭曲？等径生长阶段硅单晶以均匀直径生长，其生长时间占晶体生长全周期的 80% 以上，该阶段所生长的晶体直径近似相等、成分...
为什么要给硅片“氧化”？纯硅本身并不绝缘。要让电流在该走的时候走、不该走的时候停，必须在特定区域形成绝缘层。二氧化硅恰好是完美的天...
单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在...
在干法刻蚀工艺中，刻蚀环——包括聚焦环、绝缘环、承载环等环形部件——安装在静电吸盘外围晶圆边缘区域，围绕在晶圆四周，形成一个环形结构。它们承...
