在 SiC 晶体之中，存在着各式各样的缺陷，而这些缺陷对 SiC 器件的性能有着直接的影响。所以，深入探究清楚各类缺陷的构成以及生长机制，显...

在半导体材料的赛道上，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的“明星选手”，正凭借自身卓越的性能，掀起一场席卷多个领域的技术变革。而8英...

为了控制半导体的性质，我们需要人为的掺入微量的Ⅲ族（如镓）或Ⅴ族（如磷）元素杂质。Ⅲ族在硅中能接受电子而产生导电空穴并形成正电中心，称他们为...

半导体电阻率可以用四探针直接测出，而杂质的量却很难探测到。在实际的研究和生产中通常通过电阻率来讨论杂质分布的问题。载流子浓度和迁移率决定了电...

在硅片的检测中使用的是四探针测试仪[72]，图 2.5 为实验使用的苏州晶格四探针检测仪。电阻率测试中使用的仪器为四探针电阻率测试仪，检测原...

在流场中，我们可以清晰的看见在固液界面下方熔体中的环流，在晶体旋转低于6rpm 时，环流在固液界面下方。随着晶转的增加，环流从中心沿着三相点...

1、不同氩气进口流量对磷杂质分布的影响过去的研究大多集中于氩气、炉压对氧含量的影响，极少提到氩气、炉压对磷杂质的分布的影响。为了改善单晶硅棒...

改良西门子CVD 法是在还原炉内通入高纯的三氯氢硅(TCS) 和氢气(H2)，使其通过化学气相沉积反应将多晶硅沉积在热载体上( 即硅芯)，但...

在直拉单晶硅晶体内部，氧与碳是单晶硅内部最主要的杂质元素。其中氧的来源主要包括两部分，第一部分是多晶硅料里面本身存在的氧杂质，第二部分是在石...