在半导体硅片生产过程中，精确调控材料的电阻率是实现器件功能的关键，而原位掺杂、扩散和离子注入正是达成这一目标的核心技术手段。下面将从专业视角...

氮在硅中主要以氮对的形式存在，并占据晶格的间隙位，另外有少于1%的氮占据晶格的替代位。不同的热历史对硅中氮的存在形式也有很大的影响根据热历史...

人们对硅中的氮氧复合体做了大量的研究，并且找到了氮氧复合体在中红外和远红外区的特征吸收峰，如下表所示。同时研究了它的热稳定性和对硅片电学性能...

近年来晶体材料生长技术在多领域取得显著突破，不断涌现出新的研究成果和前沿热点，为推动我国晶体材料生长与材料科学领域高水平学术交流，经组委会协...

一般认为氧的扩散在700℃可以分为两部分:当 T>700℃时，氧主要通过间隙扩散，这一点基本上被大家所认可。当 400℃为了解释氧的异常扩散...

在直拉单晶硅的生长过程中，由于熔硅与石英坩埚在高温下的相互作用，氧原子不可避免地进入硅熔体。尽管大部分生成的 SiO 以气体形式挥发，但仍有...

目前，在太赫兹（远红外）频段最透明的绝缘材料就是高阻的浮区（FZ）单晶硅。这是科研人员不断的经过实验并分析得出的结果。实验的测量分为两部分，...

硅粉直接氮化法作为合成氮化硅粉末的传统方法，因生产工艺简单、适合工业化生产等优势，在氮化硅制备领域占据重要地位。以下是基于相关研究总结的硅粉...

多晶硅作为半导体材料被广泛应用。生产多晶硅的生产工艺主要有：西门子法、硅烷法、冶金法、锌还原法、改良西门子法、碳热还原法等。改良西门子法因其...