1、颗粒测试仪原理Surfscan检测系统用于量产缺陷控制的在线检测。Surfscan SP1是Surfscan6000系列的下一代，SP1...

一、氧杂质的来源1、 石英坩埚的溶解在直拉单晶硅的生长过程中，石英坩埚中的二氧化硅（SiO2）会溶解进入硅熔体中，是氧杂质的主要来源之一。石...

籽晶倾斜对大尺寸单晶生长稳定性的影响显著。为深入探究其作用机制，本研究采用静力学仿真方法，分析了负载下倾斜结构对应力分布的影响。通过模拟40...

1、滑移线缺陷成因分析滑移线是外延层表面沿 <110> 方向延伸的线段，滑移线的产生主要是由于位错源在应力作用下产生大量位错，并不断沿原子键...

直拉法，即切克劳斯基法（J Czochralski），简称 CZ 法，最早由切克劳斯基法在 1917 年发明，但是最早由 Teal 和 Bu...

熔体内部往往存在氧，其中氧含量常用 ppma 或者 atom/cm3 进行表示，前者为百万分之一，后者为单位立方厘米的硅熔体中有多少个氧原子...

一、高晶体质量保障 （一）消除微管缺陷 微管是SiC晶体中极为有害的缺陷，哪怕数量极少，也会对SiC器件的性能产生毁灭性打击。在传统物理气相...

TSSG法生长SiC单晶的原理 传统熔体法的局限 SiC的物理特性决定了其生长难度。在常压环境下，SiC并无熔点，一旦温度攀升至2000℃...

碳化硅，作为极具潜力的第三代半导体，凭借其卓越性能在众多关键领域展现出广阔应用前景。SiC的带隙约为硅的3倍，这使其在高温环境下能保持稳定的...