1958 年 Dash 发明了 Dash 缩颈技术，生长出了无位错的单晶硅，消除了引晶时带入晶体内的位错，但是晶体生长过程中产生的原生点缺陷...

单晶硅中除原生点缺陷以外,与氧杂质相关的缺陷也是影响其品质的重要因素。 如图所示，氧杂质的主要来源是石英坩埚，硅原料和坩埚壁。氧元素与硅在高...

单晶硅中的N杂质是在硅熔体中加入Si3N4 颗粒、石英坩埚上的 Si3N4 涂层以及保护气氛中生长引入的，其主要存在形式包括具有电活性的氮-...

碳是直拉单晶硅中非有意引入的杂质,与有意引入硅中的氮相似,居于替代位的碳(Cs)原子同样能与硅中的其他杂质和点缺陷产生相互作用。 当 Cs ...

单晶硅的主要制备方法为直拉法或称提拉法(Cz)，为波兰科学家Czochralski在 1916 年发明。其工艺流程包括引晶、缩颈、放肩、转肩...

1、固液界面的影响一般情况下，熔体与晶体间的固液界面的形状是由晶体、熔体以及环境温度分布情况而决定的。同时，生长条件还会影响到固液界面形状，...

硅材料作为信息材料的基础, 在其电学性质得到充分研究的同时, 力学特性也被广泛地进行了研究。但是, 国内外对半导体硅材料力学特性的研究主要集...

直拉法制备单晶硅，对生长炉内温度场设置要求很高，但是实际生产中温度场复杂且不容易实现精确测量和控制生长炉内包含熔体和气体复杂的对流与传热作用...

1、晶向标定原理在晶圆的蚀刻工艺中, 掩蔽图案和晶向的对准至关重要, 但是到底掩蔽图案和晶向的对准程度如何,这一结论只能通过最终的加工结果来...