大尺寸硅单晶作为半导体产业链的核心材料，其晶体质量直接决定了集成电路和功率器件的性能极限。随着晶体直径从300mm向450mm及更大尺寸扩展...

硅是半导体材料，在无杂质的情况下，其自身的导电性能很弱，晶体内的杂质与晶体缺陷是影响其电学性能的主要因素。由于FZ硅单晶纯度很高，想要获得一...

半导体材料中施主(donor)杂质位于禁带上方靠近导带底附近，其能级为施主能级。当其掺入单晶硅中时，能够为单晶硅提供电子载流子。由于施主能级...

众所周知几乎所有的硅单晶都用CZ法或FZ法生产。CZ 硅中的高氧含量(>10^18atm/cm3)所形成的氧施主，由于其不稳定性和可逆性造成...

N型高阻硅单晶（电阻率 > 10⁴ Ω・cm）因具有低杂质浓度、高少子寿命和优异的电学稳定性，成为粒子探测器、高频 MEMS 器件及高端半导...

多晶硅的热膨胀系数随温度升高呈现非线性变化。常温至300℃范围内，热膨胀系数增长平缓，数值保持在2.6×10^-6/℃至3.0×10^-6/...

禁带宽度（Band Gap）禁带宽度是半导体材料中价带顶到导带底之间的能量差（Eg），决定了电子从价带跃迁到导带所需的最小能量。它是半导体导...

在集成电路制程工艺中，半导体硅部件作为关键零部件，其制造质量至关重要。目前，硅部件主要通过机械铣削加工，然而这种方式会在硅表面形成亚表面损伤...

SOI（绝缘体上硅）硅片以其独特的 "顶层硅 - 埋氧层 - 基底硅" 三明治结构，彻底改变了传统体硅的性能瓶颈。顶层硅（几十纳米至几微米）...